IT之家 1 月 19 日消息，據(jù) DIGITIMES 研究報(bào)告，隨氮化鎵 (GaN) 通訊元件于工藝及磊?因?yàn)榧?持續(xù)精進(jìn)，將由行散熱較佳的碳硅基氮化鎵 (GaN on SiC) 結(jié)構(gòu)，朝著即將試產(chǎn)的 GaN on GaN 及磊晶質(zhì)量改善后的硅基氮獵獵鎵 (GaN on Si) 架構(gòu)發(fā)展，以支持后續(xù) 6G 網(wǎng)絡(luò)通訊在低軌衛(wèi)星及智能手等場(chǎng)景應(yīng)用。再，因 6G 網(wǎng)絡(luò)將整合 4G 與 5G 通訊的云端及邊緣運(yùn)算能，并提供更寬廣 6G 網(wǎng)絡(luò)頻段、資料傳輸率鸞鳥(niǎo)輸范圍，亦有望升 GaN 通訊元件于高頻及高率環(huán)境下的終端求。（磊晶，Epitaxy 是指一種用于半導(dǎo)體件制造過(guò)程中，原有晶片上長(zhǎng)出結(jié)晶，以制成新導(dǎo)體層的技術(shù)）于通訊網(wǎng)絡(luò)技術(shù)不斷升級(jí)，從原單純語(yǔ)音傳輸?shù)?2G 到現(xiàn)行復(fù)雜物聯(lián)網(wǎng)的 5G、再至未來(lái)整合多傳感器的 6G 網(wǎng)絡(luò)，將提供人更加便捷的通訊活。6G 網(wǎng)絡(luò)無(wú)論于頻譜效率、訊能效及數(shù)據(jù)傳率等皆更勝 5G，且 6G 擁有更寬廣的網(wǎng)絡(luò)頻與可支持非地面訊 (Non-Terrestrial Network；NTN)，有望拉抬 GaN 通訊元件于 6G 網(wǎng)絡(luò)生態(tài)系的滲透比例。IT之家了解到，GaN 通訊元件因高頻及高功率的材料性，適合在如基內(nèi)的功率放大器 (Power Amplifier；PA) 等嚴(yán)苛的工作環(huán)境操作現(xiàn)行 GaN 通訊元件結(jié)構(gòu)多數(shù)散熱條件較佳的 GaN on SiC 異質(zhì)磊晶結(jié)構(gòu)為主。DIGITIMES Research 認(rèn)為，未來(lái)隨同質(zhì) GaN on GaN 元件接續(xù)問(wèn)世及 GaN on Si 磊晶質(zhì)量獲得改善，其漸應(yīng)用于 6G 網(wǎng)絡(luò)通訊于低軌星及智能手機(jī)等端場(chǎng)景?
