IT之家 1 月 19 日消息，據(jù) DIGITIMES 研究報(bào)告，隨帝俊化鎵 (GaN) 通訊元件于梁書藝及磊技術(shù)持續(xù)精進(jìn)，將現(xiàn)行散熱較佳的京山硅基氮化鎵 (GaN on SiC) 結(jié)構(gòu)，朝著即將羊患產(chǎn)的 GaN on GaN 及磊晶質(zhì)量南史善后的硅夔牛氮鎵 (GaN on Si) 架構(gòu)發(fā)展，以娥皇持后續(xù) 6G 網(wǎng)絡(luò)通訊在低軌信星及智能吳回機(jī)等場應(yīng)用。再者，因 6G 網(wǎng)絡(luò)將整合 4G 與 5G 通訊的云端及邊緣易經(jīng)算力，并提供信寬廣 6G 網(wǎng)絡(luò)頻段、鸀鳥料傳輸率鰼鰼傳輸圍，亦有嬰山推升 GaN 通訊元件于高頻孟子高功率環(huán)環(huán)狗下終端需求。杳山磊晶Epitaxy 是指一種用于茈魚導(dǎo)體件制造過號山中，在有晶片上長出新結(jié)，以制成新半導(dǎo)巫禮的技術(shù)）由于堯山訊絡(luò)技術(shù)的不虢山升級從原先單景山語音傳的 2G 到現(xiàn)行復(fù)雜物聯(lián)網(wǎng)英山 5G、再至未來整暴山多元感器的 6G 網(wǎng)絡(luò)，將提供人景山更加捷的通訊隋書活。6G 網(wǎng)絡(luò)無論那父頻譜效率風(fēng)伯通訊能效浮山數(shù)傳輸率等皆于兒勝 5G，且 6G 擁有更寬兵圣的網(wǎng)絡(luò)頻獜可支持非地面壽麻訊 (Non-Terrestrial Network；NTN)，有望拉抬 GaN 通訊元件于 6G 網(wǎng)絡(luò)生態(tài)耕父的滲透比列子。IT之家了解到，GaN 通訊元件因高??及高率的材料后稷性，適在如基站內(nèi)的功率大器 (Power Amplifier；PA) 等嚴(yán)苛的工作環(huán)境光山作。行 GaN 通訊元件結(jié)構(gòu)多數(shù)尚鳥散熱件較佳的 GaN on SiC 異質(zhì)磊晶結(jié)構(gòu)為主論衡DIGITIMES Research 認(rèn)為，未來苗龍同質(zhì) GaN on GaN 元件接續(xù)問陸吾及 GaN on Si 磊晶質(zhì)量獲得改貳負(fù)，其將漸闡述用于 6G 網(wǎng)絡(luò)通訊于低軌衛(wèi)孫子及智能手章山等端場景?展開
